1. в полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов


Скачать 197.6 Kb.
Название1. в полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов
Дата публикации30.08.2013
Размер197.6 Kb.
ТипДокументы
referatdb.ru > Физика > Документы


Электроника

1. В полупроводниках присутствуют подвижные носители заряда двух типов:
2. Полупроводниковые материалы это:
3. Проводниковые материалы это:
4. Изоляционные материалы это:
5. Донорная примесь это:
6. Акцепторная примесь это:
7. Донорная примесь – это когда:
8. Акцепторная примесь – это когда:
9. Основными носителями заряда в полупроводниках n-типа являются:
10. Основными носителями заряда в полупроводниках p-типа являются:
11. Неосновными носителями заряда в полупроводниках p-типа являются:
12. Неосновными носителями заряда в полупроводниках n-типа являются:
13. В полупроводниковой технике обычно используют только чистые кристаллические полупроводники - монокристаллы с примесями не более одного атома примеси на …
14. К полупроводникам относят вещества - по удельной электрической проводимости занимающие …
15. Основная особенность полупроводников …
16. Свободный электрон - это …
17. Валентный электрон - это …
18. Дырка - это …
19. Электрон, находящийся на внешней, незаполненной, оболочке атома и состоящий в ковалентных связях - это …
20. Вакантное место, появляющееся в валентных связях, после того как валентный электрон перешел в зону проводимости - это …
21. Электрон, который разорвал ковалентную связь и находится в зоне проводимости - это …
22. Зона проводимости (ЗП) - это …
23. Валентная зона (ВЗ) - это …
24. Запрещенная зона (ЗЗ) - это …

25. Свободная зона, в которой при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой температуре они могут в ней находиться - это …
26. Верхняя из заполненных зон, в которых все энергетические уровни заняты электронами при температуре 0 К - это …
27. Зона, в которой электронам находится нельзя - это …
28. Ширина запрещенной зоны составляет для металла …
29. Ширина запрещенной зоны составляет для полупроводника …
30. Ширина запрещенной зоны составляет для изоляторов (диэлектриков) …
31. Диод Шоттки – это …
32. Стабилитрон – это …
33. Варикап – это …
34. Туннельный диод – это …
35. Стабистор – это …
36. Точечный диод – это …
37. Плоскостной диод – это …
38. Выпрямительный диод – это …
39. Импульсный диод – это …
40. Обращенный диод – это …
41. Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного …

42. На рисунке изображена эквивалентная схема идеального …
43. На рисунке изображена эквивалентная схема идеального …
44. На схеме изображена вольт-амперная характеристика …
45. Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрица­тельным дифференциальным сопротивлением является характерной особен­ностью …
46. На рисунке изображен …
47. На рисунке изображен …
48. На рисунке изображен …
49. На рисунке изображен …
50. Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо­го управляется напряжением, – это …
51. Полупроводниковый диод, напряже­ние на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется …
52. При прямом включении p-n-перехода:
53. Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод - из перечисленного …
54. Полупроводник n-типа:
55. Полупроводник p-типа:
56. Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое …
57. Работа, совершаемая силами поля по переносу еди­ничного положительного заряда, называется …
58. Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода; 2) параметры диода; 3) эк­вивалентную схему диода; 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы …
59. Характерная особенность диода Шотки:
60. Концентрация основных носителей в полупроводнике сильно зависит от …
61. Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от …
62. Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой …
63. Если геометрическое расстояние между валентной зо­ной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой …
64. Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного …
65. Для наиболее мощных диодов …
66. Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер …
67. Схема с ОБ характеризуется …
68. Схема с ОЭ характеризуется …
69. Схема с ОК характеризуется …
70. На практике тиристор обычно включают током управления …
71. Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее …
72. На рисунке изображен ...
73. Транзистор называют биполярным, так как …

74. Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором может сохраняться …
75. Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом - из перечисленного …
76. На рисунке изображен транзистор …
77. На рисунке изображен транзистор …
78. Стрелка в условно-графическом обозначении биполярного транзистора p-n-p-типа направлена …
79. Стрелка в условно-графическом обозначении биполярного транзистора n-p-n-типа направлена …
80. На рисунке изображен полевой транзистор с управляющим p-n-переходом …
81. На рисунке изображен полевой транзистор с управляющим p-n-переходом …
82. На рисунке изображен МДП-транзистор …
83. На рисунке изображен МДП-транзистор …
84. На рисунке изображен МДП-транзистор …
85. На рисунке изображен МДП-транзистор …
86. Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного …
87. В режиме насыщения биполярного транзистора …
88. Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного …
89. Полевые транзисторы с изолированным затвором обозначаются: 1) МПО; 2) МОД; 3) МОП; 4) МДП - из перечисленного …
90. Инерционность полевого транзистора с управляющим p-n-переходом определяется в основном …
91. В активном режиме работы транзистора…
92. На рисунке изображена схема включения полевого транзистора с общим …
93. На рисунке изображена схема включения полевого транзистора с общим …
94. На рисунке изображена схема включения полевого транзистора с общим …
95. На рисунке изображена схема включения биполярного транзистора …
96. На рисунке изображена схема включения биполярного транзистора …
97. На рисунке изображена схема включения биполярного транзистора …
98. Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется …
99. Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется …
100. Характеристика биполярного транзистора, изображенная на рисунке, называется …
101. Характеристика биполярного транзистора, изображенная на рисунке, называется …
102. Полевой транзистор:
103. Биполярный транзистор:
104. Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют…
105. Инерционность полевого транзистора с управляющим р-n-переходом определяется в основном …
106. МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного …
107. МДП-транзистор с индуцированным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного …
108. Время, за которое инжектируемые носители электричества проходят базу, называется …
109. Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное …
110. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом имеет количество p-n-переходов, равное …
111. Симистор подобен …
112. Для полевого транзистора выделяют три схемы включения: 1) с общим затвором; 2) с общей) базой; 3) с общим истоком; 4) с общим стоком; 5) с общим коллектором; 6) с общим эмиттером - из перечисленного …
113. Для биполярного транзистора выделяют три схемы включения: 1) с общим затвором; 2) с общей) базой; 3) с общим истоком; 4) с общим стоком; 5) с общим коллектором; 6) с общим эмиттером - из перечисленного …

A) 2, 5, 6
114. В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме …
115. Источником некогерентного оптического излучения в оптоэлнектронике является …
116. Оптоэлектронный датчик:

117. Оптрон:
118. Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптическим каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного …
119. К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного …
120. Источником когерентного оптического излучения в оптоэлектронике является …
121. Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного …
122. Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного …
123. Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой …
124. Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного …
125. Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного …
126. Компонентами оптоэлектронного прибора являются: 1) излучатель; 2) усилитель; 3) оптическая среда; 4) фотоприемник; 5) источник напряжения – из перечисленного …
127. Фотодиоды описываются характеристиками …
128. В обозначении светодиода первая буква указывает на …
129. Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ 316; 2) АЛСК 31; 3) АЛС331; 4) А 2619 - из перечисленного …
130. По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного …
131. Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки – из перечисленного …
132. Фототранзисторы описываются характеристиками …
133. Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются …
134. Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется …

135. Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется …
136. Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода – из перечисленного …
137. Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются …
138. Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют …
139. В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фотоприемника обычно применяются: 1) фотодиод; 2) фототиристор; 3) фоторезистор; 4) фототранзистор; 5) керамический конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного …
140. К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного …
141. К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного …
142. К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного …
143. Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как …
144. Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 12 000 элементов, является …
145. Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является …
146. Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является …
147. Цифровая интегральная микросхема с регулярной (однородной) структурой, имеющая 105 000 элементов, является …
148. Цифровая интегральная микросхема с нерегулярной (неоднородной) структурой, имеющая 60 000 элементов, является …
149. Цифровая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является …
150. Цифровая интегральная микросхема, имеющая 1200 элементов, является …
151. По конструктивно-технологическим признакам интегральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного …
152. Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции …
153. Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется …
154. Интегральная схема:
155. Плёночная интегральная схема:
156. Полупроводниковая интегральная схема:
157. Гибридная интегральная схема:
158. Аналоговая интегральная схема:
159. Гибридные интегральные схемы на основе толстоплёночной технологии могут иметь значения резисторов:
160. Гибридные интегральные схемы на основе толстоплёночной технологии могут иметь значения конденсаторов:
161. На рисунке изображена характеристика усилителя …
162. На рисунке изображена характеристика усилителя …
163. На рисунке изображена характеристика усилителя …
164. На рисунке изображена характеристика усилителя …
165. На схеме изображен …
166. На схеме изображен …
167. На схеме изображен …
168. На схеме изображен …
169. На схеме изображен …
170. На схеме изображен …
171. На рисунке изображена схема …
172. На рисунке изображена схема …
173. На рисунке изображена схема усилителя с …
174. На рисунке изображена схема усилителя с …
175. На рисунке изображена схема усилителя с …
176. На рисунке изображена обратная связь по способу введения во вход­ную цепь сигнала A) обратной связи …B)
177. На рисунке изображена обратная связь по способу введения во вход­ную цепь сигнала обратной связи …
178. На рисунке изображена обратная связь по способу снятия с выход­ной цепи сигнала обратной связи …
179. На рисунке изображена обратная связь по способу снятия с выход­ной цепи сигнала обратной связи …
180. В каскадах предварительного усиления усилителей используется режим …
181. Режим, при котором усилитель находится только в двух состояниях – или полностью закрыт, или полностью открыт, называется режимом …
182. В маломощных выходных каскадах усилителей используется режим …
183. В двухтактных выходных каскадах усилителей, имеющих высокий КПД, используется режим …
184. Режим работы усилителя, при котором ток в выходной цепи протекает в течение промежутка времени, меньшего половины периода входного сигнала, называется режимом …
185. Режим работы усилителя, при котором ток в выходной цепи протекает в течение половины периода входного сигнала, называется режимом …
186. Ток покоя равен нулю в режиме …
187. Однотактные усилители мощности работают в режиме класса:
188. В мощных резонансных усилителях используется режим …
189. Режим работы усилителя, при котором ток в выходной цепи протекает в течение всего периода входного сигнала, называется режимом …
190. Двухтактные усилители мощности работают в режимах: 1) A; 2) B; 3) AB; 4) C; 5) D - из перечисленного …
191. Коэффициент нелинейных искажений усилителя называется …
192. Амплитудная характеристика усилителя:
193. Амплитутно-частотная характеристика усилителя:
194. Фазочастотная характеристика усилителя:
195. Наибольшее отклоне­ние выходного сигнала от прямой линии абсолютной точности, про­веденной через нуль и точку максимального значения выходного сиг­нала, называется погрешностью …
196. У всех усилителей должен быть больше единицы коэффициент передачи по …
197. В источниках питания компьютеров используются усилители …
198. Основной причиной дрейфа выходного тока в усилителях постоянного тока является …
199. Усилитель мощности:
200. В зависимости от способа введения во входную цепь сигнала различают ОС: 1) последовательную; 2) по напряжению; 3) по току; 4) параллельную; 5) местную; 6) смешанную - из перечисленного …
201. В зависимости от способа получения сигнала различают ОС: 1) последовательную; 2) по напряжению; 3) по току; 4) параллельную 5) местную; 6) комбинированную - из перечисленного …
202. ОС, охватывающую весь усилитель, называют …
203. ОС, охватывающую отдельные каскады, называют …
204. Снимаемый сигнал ОС пропорционален как напряжению, так и току в выходной цепи в ОС …
205. Выходная характеристика Uвых=f(Uвх) идеального ОУ …
206. Недостатком дифференциального усилителя является …
207. Усилители мощности бывают: 1) однотактные; 2) двухтактные; 3) однофазные; 4) трехфазные; 5) трехтактные - из перечисленного …
208. Разность нижней и верхней граничных частот усилителя называется …
209. Операционный усилитель:
210. Верхний предел выходного напряжения реального ОУ ограничен …
211. Преимуществом режима А усилителя являются …
212. Недостатком режима А усилителя являются …
213. Выходное сопротивление идеального ОУ …
214. Главное достоинство ОУ с большим коэффициентом усиления – это …
215. Коэффициент усиления напряжения идеального ОУ …
216. Гальваническая связь между каскадами в усилителях постоянного тока применяется для …
217. Из перечисленного … при использовании биполярных транзисторов различают усилители с: 1) общим эмиттером; 2) отключенным эмиттером; 3) общей базой; 4) общим коллектором; 5) отключенным коллектором …
218. По режимам работы различают усилители: 1) экспоненциальные; 2) комбинированные; 3) линейные; 4) нелинейные - из перечисленного …
219. Коэффициент усиления ОУ — это отношение изменения выходного напряжения к …
220. Коэффициент усиления по напряжению - это …
221. Коэффициент усиления по току - это …
222. Коэффициент усиления по мощности - это …
223. Коэффициент полезного действия (КПД) усилительного каскада - это …
224. Коэффициент частотных искажений - это …
225. Коэффициент усиления по напряжению - это …
226. Коэффициент усиления по току - это …
227. Коэффициент усиления по мощности - это …
228. Коэффициент полезного действия усилительного каскада - это …
229. Коэффициент частотных искажений - это …
230. Кu = Uвых / U вх - это …
231. Кi = Iвых / I вх - это …
232. Кр = Рвых / Рвх - это …
234. КПД = Р вых / Р потр - это …
235. M = К срч / К - это …
236. Коэффициент усиления по напряжению в децибелах - это …
237. Коэффициент усиления по току в децибелах - это …
238. Коэффициент усиления по мощности в децибелах - это …
239. Коэффициент частотных искажений в децибелах - это …
240. Кu дб = 20 lg (Кu) - это …
241. Кi дб = 20 lg (Кi) - это …
242. Кр дб = 10 lg (Кр) - это …
243. М дб = 20 lg (М) - это …
244. На рисунке изображена схема …
245. На рисунке приведено условно-графическое обозначение логического элемента вида …
246. На рисунке приведено условно-графическое обозначение логического элемента вида …
247. На рисунке приведено условно-графическое обозначение логического элемента вида …
248. На рисунке приведено условно-графическое обозначение логического элемента вида …

249. На рисунке приведено условно-графическое обозначение логического элемента вида …
250. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
251. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
252. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
253. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
254. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
255. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
256. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
257. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
258. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
259. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
260. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
261. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
262. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
263. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
264. На рисунке приведено условно-графическое обозначение цифровой схемы …
265. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) логического элемента …
266. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) логического элемента …
267. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) логического элемента …
268. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) логического элемента …
269. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) логического элемента …
270. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
271. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
272. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
273. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
274. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
275. На рисунке приведена таблица состояний (переключений) триггера …
276. На рисунке изображена схема
277. На рисунке изображена схема
278. На рисунке изображена схема
279. На рисунке изображена схема
280. На рисунке изображена схема
281. На рисунке изображена схема
282. На рисунке изображена схема
283. На рисунке изображена схема АЦП
284. В идеальном аналоговом ключе с осями координат совпадают линии …
285. В зависимости от характера коммутируемого сигнала электронные ключи разделяют на: 1) импульсные; 2) усилительные; 3) цифровые; 4) аналоговые - из перечисленного …
286. Обеспечивают получение двух уровней сигнала на выходе ключи …
287. Транзисторному переключателю свойственны погрешности: 1) квантования; 2) сдвига; 3) наклона; 4) нелинейности - из перечисленного …
288. При анализе работы ключей необходимо знать параметры: 1) быстродействие; 2) пороговое напряжение; 3) динамический диапазон; 4) коэффициент усиления; 5) чувствительность; 6) помехоустойчивость - из перечисленного …
289. Режимами работы ключей на биполярных транзисторах являются: 1) отсечки; 2) статический; 3) нормальный активный; 4) инверсный активный; 5) по переменному напряжению; 6) насыщения - из перечисленного …
290. Преимуществами ключей на полевых транзисторах по сравнению с ключами на биполярных транзистора являются: 1) высокое быстродействие; 2) малая потребляемая мощность; 3) высокое сопротивление в непроводящем состоянии; 4) отсутствие проникновения в коммутируемую цепь допол­нительных импульсов - из перечисленного …
291. Обеспечивают подключение или отключение источников сигналов произвольной формы ключи …
292. Минимальный перепад сигнала, в результате действия которого происходит бесперебойное переключение ключа, называется …
293. Если интервал между импульсами не превышает длительность процессов установления, то сигнал называют …
294. Импульсный режим работы устройств информативной электроники имеет преимущества: 1) повышение помехоустойчивости; 2) простота реализации; 3) представление информации в цифровой форме; 4) пониженное потребление мощности - из перечисленного …
295. Под дискретизацией понимают переход от …
296. Электрические импульсы разделяют на: 1) радиоимпульсы; 2) цифровые; 3) видеоимпульсы; 4) аналоговые - из перечисленного …
297. Согласно теореме Котельникова, частота дискретизации должна быть …
298. Шаг квантования определяется для квантования …
299. Интервал времени от подачи кода на вход до момента, когда выходной сигнал войдет в заданные пределы, называется временем …
300. Частота синусоиды видеоимпульса называется частотой …
301. Отношение периода повторения импульсов к длительности импульса называется …

E) длительностью среза импульса
302. Отношение длительности импульса к периоду повторения импульсов называется …
303. Высокому уровню сигналов ставится в соответствие состояние 1 при логике …
304. Основным преимуществом логики на основе полупроводника из арсенида галлия GaAs по сравнению с другими типами логики является …
305. Преимуществами микросхем ТТЛШ по сравнению с микросхемами ТТЛ являются: 1) меньшее время задержки распростране­ния сигнала; 2) значительно меньшие размеры; 3) большая помехоустойчивость; 4) меньшее напряжение пита­ния; 5) меньшая потребляемая мощность - из перечисленного …
306. В зависимости от применяемых элементов и схемотехники различают типы логики: 1) ТТЛ; 2) ЭТЛ; 3) ЭСЛ; 4) ТМДП; 5) КМДП - из перечисленного …
307. Полный сумматор от полусумматора отличается наличием …
308. Разновидностями сумматоров являются:1) полусумматор; 2) полный сумматор; 3) инверсный сумматор; 4) вычитатель - из перечисленного …
309. Импульсное устройство:
310. Комбинационная логическая схема:
311. Разделение на отдельные составляющие сложного информационного сигнала производит …
312. Мультиплексор:
313. Дешифратор:
314. Ошибку квантования принято считать случайной величиной с законом распределения …
315. Из перечисленного программируемые логические матрицы обеспечива­ют возможность программирования матриц: 1) НЕ; 2) И; 3) И-НЕ; 4) ИЛИ …
316. Триггер:
317. Если для изменения состояния триггера используется синхронизирующий сигнал, то триггер называется:
318. Разновидностями триггеров являются: 1) RS; 2) D; 3) SS; 4) RR; 5) JK - из перечисленного …
319. Триггером задержки называется …
320. Наибольшими функциональными возможностями обладает …
321. Разновидностями счетчиков являются: 1) суммирующий; 2) вычитающий; 3) реверсивный; 4) сдвиговый; 5) рекурсивный - из перечисленного …
323. Величина, обратная максимальному числу шагов квантования в ЦАП выходного аналогового сигнала, называется …



Похожие рефераты:

Случаи симметричного распределения заряда в пространстве
Напряжённость электрического поля точечного заряда можно определить с помощью закона Кулона в общем случае, при непрерывном распределении...
Вопросы к экзамену по физике по разделу «Электростатика. Постоянный ток», «Электромагнетизм»
Свойства электрического заряда. Закон сохранения заряда. Закон взаимодействия точечных зарядов. Напряженность и потенциал поля точечного...
16 электрический ток в газах и жидкостях. Законы электролиза фарадея
При столкновении электрона с атомом газа может происходить ионизация атома, в результате которой образуются новые свободные носители...
4. Законы постоянного тока
Какая физическая величина определяется отношением работы, совершаемой сторонними силами, при перемещении заряда q по всей замкнутой...
Закон сохранения заряда
Принцип суперпозиции. Результирующая сила, действующая на точечный заряд в электрическом поле, созданном системой точечных зарядов...
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Дыхательная недостаточность (ДН) патологическое состояние, характеризующееся одним из двух типов нарушений
Чему равна равнодействующая сила, приложенная к данному телу?
Чему равна сила притяжения точечного заряда q к металлической плоскости, расположенной на расстоянии h от заряда
В. И. Мильдон Именно так, в качестве двух типов сознания, представлена...
Именно так, в качестве двух типов сознания, представлена эта антиномическая пара Ветхим Заветом: "Но знает Бог, что в день, когда...
Закон сохранения электрического заряда
М. Фарадеем (1791—1867), — закон сохранения заряда: алгебраическая сумма электрических зарядов любой замкнутой системы (системы,...
Закон Кулона:µ §, где µ §   сила взаимодействия двух точечных зарядов...
Закон сохранения заряда: µ §, гдеµ §   алгебраическая сумма зарядов, входящих в изолированную систему; n   число зарядов

Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
referatdb.ru
referatdb.ru
Рефераты ДатаБаза