Программные мероприятия, по которым проводится конкурс Мероприятие 1


Скачать 72.01 Kb.
НазваниеПрограммные мероприятия, по которым проводится конкурс Мероприятие 1
Дата публикации20.09.2013
Размер72.01 Kb.
ТипКонкурс
referatdb.ru > Физика > Конкурс



Приложение 1
Программные мероприятия, по которым проводится конкурс
Мероприятие 1. ОКР «Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений A3B5».

Мероприятие 2 ОКР «Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных антенных решёток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением».

Мероприятие 3. ОКР «Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров».

.Мероприятие 4. ОКР «Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров».

Мероприятие 5. ОКР «Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений».

Мероприятие 6. ОКР «Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур».

Мероприятие 7. ОКР «Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе».

Мероприятие 8. ОКР «Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей».

Мероприятие 9. НИОКР «Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия».





п/п


Наименование

программных мероприятий

Срок выполнения

Объем финансирования

млн. росс. руб.


Ожидаемые результаты

1

2

3

4

5

1.

ОКР «Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений A3B5»

2011- 2014 гг.

108,00

Опытные образцы комплектов МИС мм- диапазона для систем радиолокации и связи:

-усилитель 30-36 ГГц c коэффициентом усиления 13 дБ и выходной мощность 17 дБм;

-преобразователь частоты 90-93 Ггц с полосой пропускания 3 ГГц и потерями преобразования не более12 дБ.

Конструкторская (КД) и технологическая документация (ТД) с литерой «О1» на МИС мм диапазона.

Библиотека стандартных элементов, методов и правил проектирования МИС.

2

ОКР «Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решеток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением»

2011- 2014 гг.

118,00

Опытные образцы СВЧ-транзисторов (диапазон рабочих частот не менее 0-2 ГГц, удельный коэффициент усиления 5.5 дБ/мм; удельная выходная мощность насыщения 5 Вт/мм; выходная мощность насыщения в непрерывном режиме 40 Вт) и МИС усилителей мощности (диапазон рабочих частот 9-10 ГГц; коэффициент усиления 13 лБ; выходная мощность 38 дБм) для АФАР X-диапазона.

Конструкторская документация с литерой «О1» на транзисторы и МИС.


3

ОКР «Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе

для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров».

2011- 2014 гг.

26,00

Опытный образец твердотельного лазера квазинепрерывного режима работы с λ = 1.06 мкм, частотой повторения импульсов 10 ÷ 30 кГц, длительностью импульсов 5 ÷ 30 нсек, средней мощностью 1 ÷ 10 Вт для дальнометрических и информационных систем.

Конструкторская документация с литерой «О1» на твердотельный лазер квазинепрерывного режима работы.

4

ОКР «Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров»

2011- 2014 гг.

16,00

Оптическая схема и энергетический расчет квантрона с диодной накачкой. Опытный образец квантрона с диодной накачкой

Протокол тестирования опытного образца квантрона с диодной накачкой.

Разработка оптической схемы накачки и расчет энергетических характеристик квантрона с максимальной выходной мощностью YAG:Nd3+ лазера на основе квантрона при номинальном токе накачки 25А - 10 Вт.

Создание стенда для сборки, наладки и тестирования квантронов с диодной накачкой.

5

ОКР «Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений»

2011- 2014 гг.

42,00

Стенд для сборки, наладки и тестирования лазеров с диодной накачкой.

Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 532 нм, энергией в импульсе 0,8 мДж, средней выходной оптической мощностью 5 Вт соответственно, и качеством лазерного пучка

М2 <2.

Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной оптической мощностью 0,02 Вт.

Конструкторская документация с литерой «О1» на твердотельные лазеры для технологических применений.

6

ОКР «Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур»

2011-2014 гг.

18,00

Блок управления лазерным источником накачки.

Опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с основными параметрами:

– дальности 10000 м и 5000 м;

– точности ± 5 м.

Конструкторская документация с литерой «О1» на базовые блоки дальномеров.

7

ОКР «Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе»

2011- 2014 гг.

10,00

Испытательный стенд для проверки оптических характеристик полупроводниковых лазерных излучателей и их сортировки по партиям.

Опытные образцы мощных высокочастотных импульсных источников питания (200 А, до 10 кГц, 50-100 нс).

Опытные образцы лазерных диодных сборок:

– диапазон длин волн излучения: 800 – 1060 нм;

– пиковая мощность выходного излучения: не менее 10 Вт;

– длительность импульса: 0,05 - 300 мкс;

– частота следования импульсов: до 10 кГц;

Опытные образцы оптических систем инфракрасной подсветки (дальнометрии):

– предельная дальность: 1 – 2,5 км;

– диапазон длин волн излучения: 800 – 1600 нм;

– длительность импульса: 10 – 100 нс;

– частота следования импульсов: до 10 кГц;

– срок службы: более 109 импульсов.

Конструкторская документация с литерой «О1» на импульсных источники питания, лазерных диодных сборки и оптические системы.

8

ОКР «Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей»

2011- 2014 гг.

50,00

Опытные образцы оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа (0.03 – 80%), измерение содержания воды в нефти (0.1 – 80 %) и других химических веществ.

Конструкторская документация с литерой «О1» на оптические анализаторы в средней ИК области.

Опытные образцы модулей на основе QWIP–матриц для фотоприемных систем среднего ИК-диапазона на длину волны 8-10 мкм с удельной обнаружительной способностью, не менее 1х1010 Вт-1смГц1/2.

9

НИОКР «Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия»

2011- 2014 гг.

26,00

Экспериментальные образцы низкопороговых лазеров с квантовыми точками CdSe зелёного спектрального диапазона с внутренней квантовой эффективностью более 70% и импульсной мощностью более 5 Вт. 

Экспериментальный образец III-N/II-VI лазерного конвертера с накачкой излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе InGaN (эффективность преобразования излучения лазера накачки более 10%; мощность более 0.15 Вт).

Программа и методики испытаний экспериментальных образцов лазерных конвертеров.

Отчет по патентным исследованиям.



Похожие рефераты:

Внеклассное мероприятие «12 апреля День космонавтики» Цели данного мероприятия
Международный конкурс «Современные образовательные технологии в творчестве учителя начальных классов»
Дата Мероприятие Цель Планируемые мероприятия (варианты) Классы Ответственные 04-08. 11
Выставка-конкурс декоративно-прикладного творчества учащихся «Калядная зорка» познание прекрасного в окружающей действительности
Внеклассное мероприятие «своя игра»
Тип мероприятия: внеклассное мероприятие обобщения и систематизации знаний, умений и навыков
Товариществом с ограниченной ответственностью «Казахойл Актобе»
Мероприятие мероприятие (мероприятия), проводимые Исполнителем для персонала или для лиц приглашенных
Товариществом с ограниченной ответственностью «Казахойл Актобе»
Мероприятие мероприятие (мероприятия), проводимые Исполнителем для персонала или для лиц приглашенных
Внеклассное мероприятие по биологии в 6 классе «Биологическое ассорти»
Методические рекомендации: урок под таким названием проводится для учащихся 6 классов. Перед началом мероприятия кабинет биологии...
Конкурс «Вперед за лучшими it -практиками!»
Краудрекрутинговый Конкурс «Вперед, за лучшими it-практиками!» (далее «Конкурс») проводится согласно Кадровой политики на 2013-2022гг....
Конкурс проводится по двум номинациям: «Лучшая областная организация...
Конкурс на лучшую организацию профсоюзного обучения проводится в период календарного года
Конкурс проводится по двум возрастным категориям
Городской конкурс на лучшую научную работу среди школьников проводится Казахским университетом экономики, финансов и международной...
Пресс-релиз г. Алматы, Манаса, 13 тел./факс 379-92-25 алматинский...
Мероприятие: І республиканский конкурс эстрадного пения корейской популярной музыки «к-рор»

Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
referatdb.ru
referatdb.ru
Рефераты ДатаБаза